[发明专利]一种锂硫电池二硫化钼隔膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201710174900.1 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN107068944A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 卢小泉;何笑;宁星铭;李文奇;张静;王彩荷;姚敏;张卓越 | 申请（专利权）人： | 西北师范大学 |
| 主分类号： | H01M2/14 | 分类号： | H01M2/14;H01M2/16;H01M10/052 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心62100 | 代理人： | 郭海 |
| 地址： | 730070 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锂硫电池二硫化钼隔膜及其制备方法，属于锂硫电池领域。该发明利用二硫化钼薄膜具有很高的导锂性能，同时能够抑制多硫化物在正负极间的迁移，以提高锂硫电池的循环寿命，且利用二硫化钼的耐高温性能提高隔膜整体的耐温性；并通过真空抽滤方式使二硫化钼纳米片沉积在锂硫电池隔膜表层，二硫化钼薄膜表面漏斗孔径相对位置处在真空抽滤作用下厚度较小，可以起到很好的透气作用，不致于影响电池容量。本发明制备好的MoS2/Celgard应用于锂硫电池中，其电化学阻抗谱结果显示，MoS2/Celgard隔膜的锂离子传导率约为2.0×10‑1mS·cm‑1，从而大幅提高了锂硫电池的循环寿命。整个制备方法工艺流程短，条件简单，成本低廉，且对环境不构成污染，达到了清洁生产的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电池 二硫化钼 隔膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种锂硫电池二硫化钼隔膜，其特征是：在锂硫电池隔膜表层沉积有二硫化钼薄膜，所述二硫化钼薄膜的厚度为220‑300nm。
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