[发明专利]阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板。本发明的阵列基板的制作方法，结合COA技术与BOA技术，先在衬底基板上制作黑色矩阵，再在黑色矩阵上方制作顶栅型的TFT器件，最后在TFT器件上方制作彩色滤光层，其中，像素电极直接设于漏极上与漏极相接触，该制作方法可以提高TFT器件的电学性能及性能稳定性，提升显示面板的品质，相对于现有阵列基板的制作方法，缩减了所使用的光罩和制程，制作方法简单，节约生产成本。本发明的阵列基板，制作方法简单，TFT器件电学性能好、性能稳定，可提升显示面板的品质。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上涂布一层黑色光阻材料，经曝光显影后，得到黑色矩阵(20)；然后在黑色矩阵(20)、及衬底基板(10)上沉积形成隔离层(30)；步骤S2、在所述隔离层(30)上依次沉积第二金属层(40’)、及离子掺杂非晶硅层(51’)，对所述第二金属层(40’)、及离子掺杂非晶硅层(50’)进行图案化处理，由所述第二金属层(40’)得到间隔的源极(41)和漏极(42)，由所述离子掺杂非晶硅层(51’)得到位于所述源极(41)和漏极(42)上的欧姆接触层(51)，所述欧姆接触层(51)的尺寸小于所述源极(41)和漏极(42)的尺寸而露出所述漏极(42)的部分上表面；步骤S3、在经过步骤S2的衬底基板(10)上沉积透明导电膜，对所述透明导电膜进行图案化处理，得到像素电极(60)，所述像素电极(60)位于所述漏极(42)、及隔离层(30)上，与所述欧姆接触层(51)露出的漏极(42)相接触；步骤S4、在经过步骤S3的衬底基板(10)上沉积非晶硅层(52’)，对所述非晶硅层(52’)进行图案化处理，得到半导体层(52)，所述半导体层(52)位于所述欧姆接触层(51)、及隔离层(30)上，与所述欧姆接触层(51)共同构成有源层(50)；步骤S5、在经过步骤S4的衬底基板(10)上依次沉积栅极绝缘层(70)、第一金属层(80’)，对所述第一金属层(80’)进行图案化处理，得到对应位于所述有源层(50)上方的栅极(80)；步骤S6、在所述栅极绝缘层(70)、及栅极(80)上沉积钝化层(90)；步骤S7、在所述钝化层(90)上形成彩色滤光膜层(95)。