[发明专利]一种微小平面零件的无切割自成型方法有效
申请号: | 201710175459.9 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN106893974B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 易泰民;邢丕峰;郑凤成;杨蒙生;王红莲;柯博;赵利平;谢军;李翠;高莎莎;李宁 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | C23C14/02 | 分类号: | C23C14/02;C23C14/35;C23C16/01;C23C16/02;C23C16/50 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 侯静 |
地址: | 621900*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种微小平面零件的无切割自成型方法,它涉及一种用于激光惯性约束聚变实验研究用平面微小零(靶)件的无切割自成型制备方法。本发明目的是为了解决惯性约束聚变靶微小平面零件制造存在的二次精密加工技术难题。方法:一、利用预制图形的Si基片镀脱模剂,即得到镀脱模剂的模板;二、采用沉积法在镀脱模剂的模板上制备微小平面零件材料薄膜,得到沉积微小平面零件材料薄膜的模板;三、脱模:释放沉积微小平面零件材料薄膜的模板表面的微小平面零件薄膜,即得到微小平面零件。优点:规避平微小面尺寸二次加工技术难题;适用范围非常广;可批量生产,重复精度高;模板可重复使用,成本低。本发明主要用于加工微小平面零件。 | ||
搜索关键词: | 一种 微小 平面 零件 切割 成型 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微小平面零件的无切割自成型方法,其特征在于它是按以下步骤完成的:一、模板制备:在预制图形的Si基片上采用热蒸发镀膜技术制备厚度为90nm~110nm的CsI脱模剂,即得到镀脱模剂的模板,模板在真空或干燥环境下保存;所述预制图形的Si基片包括边缘突起部、图形突起部和凹槽,所述的图形突起部是根据微小平面零件的平面结构形状制备而成,所述凹槽的宽度为10μm~30μm,凹槽的深宽比不小于1,凹槽的陡直度90°±5°;二、制备微小平面零件材料薄膜:采用沉积法在镀脱模剂的模板上制备微小平面零件材料薄膜,得到包含微小平面零件材料薄膜的模板;三、脱模:释放包含微小平面零件材料薄膜模板表面的微小平面零件薄膜,即得到微小平面零件。
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