[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201710175986.X | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN107230495B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 永井功宽;羽生正美;铃木由香 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/08;G11C16/30 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体存储器装置。根据本发明的半导体存储器装置包括第一存储器单元、第二存储器单元、伪晶体管和电压控制电路。第一存储器单元具有耦合至第一字线、第一源极线和位线的第一晶体管。第二存储器单元具有耦合至第二字线、第二源极线和位线的第二晶体管。伪晶体管具有与第一晶体管相同的结构并且耦合至伪字线、伪源极线和伪位线。当要对第一字线施加用于将数据写入第一存储器单元中的预定电压时，电压控制电路将伪位线耦合至第二源极线并且对第一伪字线施加预定电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置，包括：第一存储器单元，具有第一晶体管，所述第一晶体管耦合至第一字线、第一源极线和第一位线；第二存储器单元，具有第二晶体管，所述第二晶体管耦合至第二字线、第二源极线和所述第一位线；第一伪晶体管，具有与所述第一晶体管相同的结构并且耦合至第一伪字线、伪源极线和伪位线；以及电压控制电路，当要对所述第一字线施加用于将数据写入所述第一存储器单元的预定电压时，所述电压控制电路将所述伪位线耦合至所述第二源极线并且对所述第一伪字线施加所述预定电压。
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