[发明专利]一种实现表面等离子激元增强型纳米结构薄膜太阳电池的方法有效
申请号: | 201710176499.5 | 申请日: | 2017-03-23 |
公开(公告)号: | CN107302038B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 黄茜;仝玉鹏;任千尚;侯国付;安世崇;张晓丹;赵颖 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/054;H01L51/48;H01L51/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种实现表面等离子激元增强型纳米结构薄膜太阳电池的方法,包括在衬底之上依次制备一个二氧化硅纳米球阵列/银纳米颗粒复合纳米结构和一个PIN或NIP型薄膜太阳电池。其中二氧化硅纳米球阵列采用浸渍提拉法及等离子体刻蚀技术制备获得,银纳米颗粒结构制备工艺为蒸发、溅射、溶胶凝胶、聚焦离子束刻蚀或电子束刻蚀技术中至少一种;薄膜太阳电池包括无机薄膜太阳电池、有机薄膜太阳电池及由以上两种中至少一种构成的叠层太阳电池。本发明有益效果是:表面等离子激元的引入可获得具有定域化高能电场的纳米微腔结构,以增强光程拓展、提升光子剪裁与调制效果,并优化电荷收集性能,利于电池光学及电学特性的同步提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 实现 表面 等离子 增强 纳米 结构 薄膜 太阳电池 方法 | ||
【主权项】:
一种实现表面等离子激元增强型纳米结构薄膜太阳电池的方法,包括在衬底之上依次制备一个二氧化硅纳米球阵列/银纳米颗粒复合纳米结构和一个PIN或NIP型薄膜太阳电池,其特征在于:所述薄膜太阳电池直接沉积于复合纳米结构之上;所述表面等离子激元增强型纳米结构薄膜太阳电池具有显著的光吸收增强效果。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南开大学,未经南开大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710176499.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种表面等离子激元增强型纳米微腔结构的太阳电池
- 下一篇:二次电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的