[发明专利]器件晶片的评价方法有效

专利信息
申请号: 201710176705.2 申请日: 2017-03-23
公开(公告)号: CN107234525B 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 介川直哉;原田晴司 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: B24B27/00 分类号: B24B27/00;B24B37/10;B24B7/22;B24B41/00;B24B49/00;B24B49/12;G01N21/95
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供被加工物的评价方法,能够对能够成为产品的被加工物的吸杂性进行评价。一种被加工物的评价方法,对在正面上形成有多个器件并且在内部形成有吸杂层的器件晶片的吸杂性进行评价。被加工物的评价方法包含如下的工序:激发光照射工序,对器件晶片照射用于激发出载流子的激发光;微波照射工序,分别对器件晶片的激发光的照射范围和激发光的照射范围外照射微波;测定工序,分别对来自器件晶片的微波MR的反射波的强度进行测定,导出从来自照射范围的反射波的强度中减去来自照射范围外的反射波的强度而得的差分信号;以及根据在测定工序中计算出的差分信号的强度对吸杂性进行判断的工序。
搜索关键词: 器件 晶片 评价 方法
【主权项】:
一种被加工物的评价方法,对在正面上形成有多个器件并且在内部形成有吸杂层的被加工物的吸杂性进行评价,该被加工物的评价方法的特征在于,包含如下的工序:激发光照射工序,对被加工物照射用于激发出载流子的激发光;微波照射工序,在实施了该激发光照射工序之后,分别对所述被加工物的所述激发光的照射范围和所述激发光的照射范围外照射微波;测定工序,在实施了该微波照射工序之后,分别对来自所述被加工物的所述微波的反射波的强度进行测定,导出从来自所述照射范围的反射波的强度中减去来自所述照射范围外的反射波的强度而得的差分信号;以及根据通过所述测定工序计算出的所述差分信号的强度对吸杂性进行判断的工序。
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