[发明专利]LED外延生长方法在审
| 申请号： | 201710177123.6 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106910800A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 焦建军;黄小辉;周德保;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/30;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 张洋,黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED外延生长方法。本发明LED外延生长方法，包括从下往上依次生长衬底、缓冲层、非掺杂的GaN层、N型掺杂的GaN层；在N型掺杂的GaN层之上生长量子阱发光层，其中量子阱发光层的能级发生渐变，量子阱发光层从下往上依次包括InGaN层、铟组分递减的InxGa1‑xN层、第一GaN层、第二GaN层；在量子阱发光层之上从下往上依次生长P型掺杂的GaN层、P型金属接触层。本发明对量子阱发光层的能级渐变并设置一层低温保护薄膜，不仅降低了位错影响，提高了量子发光层的发光效率，还提升了LED芯片的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延生长方法，其特征在于，包括：从下往上依次生长衬底、缓冲层、非掺杂的GaN层、N型掺杂的GaN层；在所述N型掺杂的GaN层之上生长量子阱发光层，其中所述量子阱发光层的能级发生渐变，所述量子阱发光层从下往上依次包括InGaN层、铟组分递减的InxGa1‑xN层、第一GaN层、第二GaN层；其中，所述第一GaN层是在第一温度下以横向生长方式形成的，所述第二GaN层是在第二温度下以横向生长方式形成的，所述第一温度低于所述第二温度，所述第一GaN层的厚度小于第二GaN层的厚度；在所述量子阱发光层之上从下往上依次生长P型掺杂的GaN层、P型金属接触层。
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