[发明专利]高结晶质量N型Ag掺杂PbTe基热电薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710177354.7 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106887516A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 吴海飞;余亚东;徐珊瑚 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/14 |
| 代理公司： | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 312000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有(2×2)重构表面的高结晶质量N型Ag掺杂PbTe基热电薄膜的制备方法，Ag的掺杂量≤5％。采用分子束外延法来实现薄膜的制备，通过优化制备条件，Ag掺杂PbTe基热电薄膜可实现层状平铺生长，且表面发生的(2×2)重构，薄膜结晶质量、热电性能均优于未掺杂的PbTe热电薄膜；本发明表面(2×2)重构还可为基于PbTe薄膜材料的量子点、量子阱等低维结构的制备提供大尺度周期性晶格模板，并应用于低维高性能PbTe基热电材料的制备，以进一步提高PbTe基材料的热电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 质量 ag 掺杂 pbte 热电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高结晶质量N型Ag掺杂PbTe基热电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对衬底进行清洁处理；(2)在一定的衬底温度下，利用分子束外延法得到一定Ag掺杂量的PbTe基热电薄膜。
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