[发明专利]引入较低蚀刻速率的材料以形成T形SDBSTI结构在审
| 申请号： | 201710177358.5 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN107452670A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 彭建伟;吴旭升 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及引入较低蚀刻速率的材料以形成T形SDB STI结构，其提供一种在形成t形单扩散中断的浅沟槽隔离(SDB STI)结构期间引入具有较低蚀刻速率的单扩散中断(SDB)材料的方法。实施例包括在硅(Si)衬底中设置浅沟槽隔离(STI)区域；在该STI区域及该硅衬底上方形成硬掩膜；穿过该STI区域上方的该硬掩膜形成腔体，该腔体具有大于该STI区域的宽度的宽度；在该腔体中沉积具有低于高密度等离子体(HDP)氧化物的蚀刻速率的单扩散中断材料，以形成t形SDB STI结构；以及移除该硬掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 引入 蚀刻 速率 材料 形成 sdbsti 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在硅(Si)衬底中设置浅沟槽隔离(STI)区域；在该浅沟槽隔离区域及该硅衬底上方形成硬掩膜；穿过该浅沟槽隔离区域上方的该硬掩膜形成腔体，该腔体具有大于该浅沟槽隔离区域的宽度的宽度；在该腔体中沉积具有低于高密度等离子体(HDP)氧化物的蚀刻速率的单扩散中断(SDB)氧化物材料，以形成t形单扩散中断的浅沟槽隔离(SDB STI)结构；以及移除该硬掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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