[发明专利]阵列基板、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201710177811.2 | 申请日: | 2017-03-23 |
公开(公告)号: | CN106855674B | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 周洪波 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置,涉及显示技术领域,能够改善显示效果。阵列基板包括:衬底基板;位于衬底基板上的多条栅线和多条数据线;多条栅线和所述多条数据线绝缘交叉限定的多个子像素区域;与每个子像素区域对应设置的薄膜晶体管、像素电极和阻隔金属;漏极在衬底基板上的正投影位于相邻的两条数据线在衬底基板上的正投影之间,阻隔金属在衬底基板上的正投影位于漏极在衬底基板上的正投影与相邻的两条数据线中至少一条数据线在衬底基板上的正投影之间。本方案主要用于液晶显示装置,降低数据线与像素电极之间的寄生电容,从而减少由此造成的串扰,改善显示效果。 | ||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:/n衬底基板;/n位于衬底基板上的多条栅线和多条数据线;/n所述多条栅线和所述多条数据线绝缘交叉限定的多个子像素区域;/n与每个所述子像素区域对应设置的薄膜晶体管、像素电极和阻隔金属,所述薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极,所述源极连接于所述数据线,所述漏极连接于所述像素电极,所述栅极连接于所述栅线;/n所述漏极在所述衬底基板上的正投影位于相邻的两条数据线在所述衬底基板上的正投影之间,所述阻隔金属在所述衬底基板上的正投影位于所述漏极在所述衬底基板上的正投影与所述相邻的两条数据线中至少一条数据线在所述衬底基板上的正投影之间;/n每个所述子像素区域中,所述阻隔金属包括第一阻隔金属和第二阻隔金属;/n所述相邻的两条数据线分别为第一数据线和第二数据线;/n在所述第一数据线和所述第二数据线之间,所述第一阻隔金属在所述衬底基板上的正投影位于所述漏极在所述衬底基板上的正投影和所述第一数据线在所述衬底基板上的正投影之间,所述第二阻隔金属在所述衬底基板上的正投影位于所述漏极在所述衬底基板上的正投影和所述第二数据线在所述衬底基板上的正投影之间;/n有源层,所述有源层包括第一段、第二段和第三段;/n所述漏极在所述衬底基板上的正投影位于相邻的两条栅线在所述衬底基板上的正投影之间;/n所述相邻的两条栅线分别为第一栅线和第二栅线;/n所述漏极位于子像素区域中靠近所述第一栅线的一侧;/n所述第一段包括相对设置的第一端和第二端,所述第二段包括相对设置的第一端和第二端,所述第一段的第一端和所述第二段的第一端在所述衬底基板上的正投影位于所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影靠近所述漏极在所述衬底基板上的正投影的一侧,所述第一段的第二端和所述第二段的第二端以及所述第三段在所述衬底基板上的正投影位于所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影远离所述漏极在所述衬底基板上的正投影的一侧;/n所述第三段连接于所述第一段的第二端和所述第二段的第二端;/n所述第一段的第一端连接于所述源极,所述第二段的第一端连接于所述漏极;/n位于所述有源层与所述衬底基板之间的遮光层;/n所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影与所述第一段在所述衬底基板上的正投影具有第一交叠区域,所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影与所述第二段在所述衬底基板上的正投影具有第二交叠区域;/n所述遮光层包括第一遮光部和第二遮光部,所述第一遮光部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一交叠区域,所述第二遮光部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二交叠区域,所述第一阻隔金属为所述第一遮光部的延伸部分,所述第二阻隔金属为所述第二遮光部的延伸部分;/n所述第一阻隔金属在所述衬底基板上的正投影远离所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影的一端与所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影之间的距离为h3,所述第二阻隔金属在所述衬底基板上的正投影远离所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影的一端与所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影之间的距离为h4,h3>h2,h4>h2;/n或者,/n有源层,所述有源层包括第一段和第二段;/n所述漏极在所述衬底基板上的正投影位于相邻的两条栅线在所述衬底基板上的正投影之间;/n所述相邻的两条栅线分别为第一栅线和第二栅线;/n所述漏极位于子像素区域中靠近所述第一栅线的一侧;/n所述第一段包括相对设置的第一端和第二端,所述第二段包括相对设置的第一端和第二端,所述第一段的第一端和所述第二段在所述衬底基板上的正投影位于所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影靠近所述漏极在所述衬底基板上的正投影的一侧,所述第一段的第二端在所述衬底基板上的正投影位于所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影远离所述漏极在所述衬底基板上的正投影的一侧;/n所述源极和所述漏极位于源漏金属层,所述源漏金属层和所述有源层之间设置有绝缘层,所述绝缘层上设置有源极过孔和漏极过孔,所述源极通过所述源极过孔连接于所述第一段的第二端,所述漏极通过所述漏极过孔连接于所述第二段的第一端,所述第一段的第一端连接于所述第二段的第二端;/n位于所述有源层与所述衬底基板之间的遮光层;/n所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影与所述第一段在所述衬底基板上的正投影具有交叠区域;/n所述遮光层包括遮光部,所述遮光部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述交叠区域,所述第一阻隔金属和所述第二阻隔金属为所述遮光部的延伸部分;/n所述漏极过孔在所述衬底基板上的正投影远离所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影的一端与所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影之间的距离为h5;/n所述第一阻隔金属在所述衬底基板上的正投影远离所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影的一端与所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影之间的距离为h6,所述第二阻隔金属在所述衬底基板上的正投影远离所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影的一端与所述第一栅线在所述衬底基板上的正投影之间的距离为h7,h6>h5,h7>h5。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门天马微电子有限公司,未经厦门天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710177811.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。