[发明专利]一种漏极轻偏移结构的制备方法

摘要

本发明提供一种漏极轻偏移结构的制备方法，包括玻璃基板晶化、P‑Si衬底成像、栅极绝缘层成膜与栅极层成膜步骤，通过以下步骤形成漏极轻偏移结构：涂胶步骤、半色调曝光步骤、显影步骤、第一次金属刻蚀步骤、第一次离子注入步骤、光刻胶灰化步骤、第二次金属刻蚀步骤、脱膜步骤、第二次离子注入步骤：通过对光刻胶进行半色调曝光和显影，并结合重掺杂和轻掺杂两次离子注入步骤、光刻胶灰化步骤、两次金属刻蚀步骤，形成源极或漏极重掺杂区、栅极轻掺杂区和漏极轻掺杂区，从而形成漏极轻偏移LDO结构，有效缓解热载流子效应，降低漏电流，使得漏极轻掺杂结构尺寸易掌控、制程重复性和均匀性较佳，降低了生产成本和不良品率，提高了TFT产品的可靠性。

主权项

1.一种漏极轻偏移结构的制备方法，包括玻璃基板晶化、P-Si衬底成像、栅极绝缘层成膜与栅极层成膜步骤，其特征在于，通过以下步骤形成漏极轻偏移结构：/n涂胶步骤：在所述栅极层上涂覆光刻胶层；/n半色调曝光步骤：通过半色调掩膜对所述光刻胶层进行曝光；具体是，紫外线透过所述半色调掩膜板的完全透光区域、部分透光区域和不透光区域对所述光刻胶层进行曝光；/n显影步骤：将半色调曝光后的所述光刻胶层显影；/n第一次金属刻蚀步骤：将所述栅极层刻蚀为与显影后的光刻胶层两端齐平；/n第一次离子注入步骤：进行重掺杂离子注入，形成源极或漏极重掺杂区；具体是，将重掺杂离子注入到所述P-Si衬底层的未被第一次金属刻蚀后的栅极层遮挡的部分，形成源极或漏极重掺杂区；/n光刻胶灰化步骤：对所述光刻胶层进行灰化，去除厚度小的部分；/n第二次金属刻蚀步骤：将所述栅极层刻蚀为与灰化后的光刻胶两端齐平；/n脱膜步骤：将所述光刻胶层剥离；/n第二次离子注入步骤：进行轻掺杂离子注入，形成栅极轻掺杂区和漏极轻掺杂区；具体是，将轻掺杂离子注入到第二次金属刻蚀后的栅极层上，形成栅极轻掺杂区，并将轻掺杂离子注入到所述P-Si衬底层的未被第二次金属刻蚀后的栅极层遮挡的部分，形成漏极轻掺杂区。/n