[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201710179429.5 申请日: 2017-03-23
公开(公告)号: CN107395000B 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 横井芳彦;小岛勇介 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种半导体器件。在现有技术的半导体器件中存在的问题是,具有有源米勒钳位功能的半导体器件的芯片尺寸不能减小。根据一个实施例,半导体器件被配置为当功率器件导通或截止时,监测功率器件的栅极电压(Vg),在转变范围内设置预定范围,转变范围是栅极电压(Vg)改变的范围,当栅极电压(Vg)在预定范围内时,通过使用预定数量的恒流电路,改变功率器件的栅极电压(Vg),并且当栅极电压(Vg)在预定范围之外时,通过使用比当栅极电压(Vg)在预定范围内时使用的恒流电路的数量更多数量的恒流电路来改变栅极电压(Vg)。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括:栅极线,所述栅极线连接到功率器件的栅极端子,所述功率器件包括第一端子、第二端子和所述栅极端子;多个第一恒流电路,所述多个第一恒流电路连接在所述栅极线和电源线之间;多个第二恒流电路,所述多个第二恒流电路连接在所述栅极线和接地线之间;恒流电路选择电路,所述恒流电路选择电路被配置为从所述多个第一恒流电路和所述多个第二恒流电路之中选择要激活的恒流电路,并且向选择的恒流电路输出激活指令信号;第一比较器,所述第一比较器被配置为当所述栅极端子的电压变得高于第一阈值电压时,将第一电压检测信号的电平从第一逻辑电平改变为第二逻辑电平;第二比较器,所述第二比较器被配置为当所述栅极端子的电压变得高于第二阈值电压时,将第二电压检测信号的电平从所述第一逻辑电平改变为所述第二逻辑电平;以及栅极模式设置电路,所述栅极模式设置电路被配置为基于栅极控制信号、所述激活指令信号、所述第一电压检测信号和所述第二电压检测信号,来控制由所述恒流电路选择电路选择的所述恒流电路的导通/截止状态,所述栅极控制信号用于控制所述功率器件的导通/截止状态,其中在所述第一电压检测信号和所述第二电压检测信号具有不同逻辑电平的时段中,所述栅极模式设置电路控制由所述恒流电路选择电路选择的所述恒流电路的导通/截止状态,以及在所述第一电压检测信号和所述第二电压检测信号具有相同逻辑电平的时段中,与在所述第一电压检测信号和所述第二电压检测信号具有不同的逻辑电平的时段中被控制为导通状态的恒流电路的数量相比,所述栅极模式设置电路增加被控制为导通状态的恒流电路的数量。
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