[发明专利]真空蒸镀掩膜、掩膜制备方法以及蒸镀图案有效
| 申请号： | 201710179451.X | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106929797B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 石守磊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了真空蒸镀掩膜、掩膜制备方法以及蒸镀图案。该蒸镀掩膜包括：掩膜基体，所述掩膜基体具有掩膜镂空图案；以及固定件，所述固定件设置在所述掩膜基体的表面上。该蒸镀掩膜在真空蒸镀的过程中，可以与蒸镀基板之间较为紧密的贴合，进而可以缓解由于阴影效应造成的产品良率不佳的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 蒸镀掩膜 制备 方法 以及 图案 | ||
【主权项】：
1.一种蒸镀掩膜，其特征在于，包括：掩膜基体，所述掩膜基体具有掩膜镂空图案；以及固定件，所述固定件设置在所述掩膜基体的表面上，所述固定件包括聚二甲基硅氧烷、硫化硅橡胶以及硅烷偶联剂的至少之一，或者，所述固定件包括连接端以及游离端，所述连接端与所述掩膜基体之间通过共价键连接，所述游离端与所述连接端相连，所述游离端含有硅氧烷官能团。
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