[发明专利]用于4M制程制备TFT的光罩及4M制程TFT阵列制备方法

摘要

本发明提供一种用于4M制程制备TFT的光罩及4M制程TFT阵列制备方法。本发明用于4M制程制备TFT的光罩，其中，在该光罩的TFT版图结构中，邻近TFT图案外缘设有沿TFT图案外缘走向设置的线条图案。本发明还提供了相应的4M制程TFT阵列制备方法，使用本发明的光罩作为第二道光罩制程的光罩。本发明用于4M制程制备TFT的光罩通过改变光罩的边缘曝光实现边缘偏薄的结构，进而使得该结构比较易于等离子体刻蚀，从而减少第二层金属边缘有不定形硅和重掺杂硅残留问题；本发明的4M制程TFT阵列制备方法，将本发明的光罩结合匹配的4M制程，减少第二层金属边缘有不定形硅和重掺杂硅残留问题。

主权项

1.一种4M制程TFT阵列制备方法，所述4M指代四道光罩，其特征在于，使用光罩作为第二道光罩制程的光罩；在该光罩的TFT版图结构中，邻近TFT图案外缘设有沿TFT图案外缘走向设置的线条图案；/n所述线条图案与TFT图案不交汇，或者所述线条图案与TFT图案交汇；/n所述4M制程TFT阵列制备方法包括：/n步骤10、在第一道光罩制程中，在玻璃基板上制备栅极层，并图形化栅极层；然后制备栅极绝缘层、有源层、源漏极层、光刻胶层；/n步骤20、在第二道光罩制程中，对光刻胶层进行曝光显影；第一次湿刻，图形化源漏极层，形成源漏极区域和有源区域的金属导线结构；第一次干刻，形成有源层岛状结构；氧气灰化，降低光刻胶层厚度以露出沟道区域的源漏极层；第二次湿刻，图形化源漏极；第二次干刻，刻蚀有源层，形成薄膜晶体管结构；/n步骤30、在第三道光罩制程中，制备钝化层，并图案化钝化层；/n步骤40、在第四道光罩制程中，制备透明电极层，并图案化透明电极层；/n所述步骤20还包括两次氧气灰化，具体为：在第二道光罩制程中，对光刻胶层进行曝光显影；第一次湿刻，图形化源漏极层，形成源漏极区域和有源区域的金属导线结构；第一次氧气灰化，减少源漏金属层边的有源层拖尾大小；第一次干刻，形成有源层岛状结构；第二次氧气灰化，降低光刻胶层厚度以露出沟道区域的源漏极层；第二次湿刻，图形化源漏极；第三次氧气灰化，减少接触层拖尾；第二次干刻，刻蚀有源层，形成薄膜晶体管结构。/n