[发明专利]用于CMP抛光垫的碎屑移除凹槽

摘要

本发明提供一种适用于抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的至少一个的抛光垫。所述抛光垫包含抛光层，所述抛光层具有聚合物基质、厚度以及表示所述抛光层的用于抛光或平面化的工作区的抛光轨迹。径向排放凹槽延伸穿过所述抛光轨迹，以促进在所述抛光垫旋转期间穿过所述抛光轨迹且在半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个下面且接着超出所述抛光轨迹朝向所述抛光垫的周边的抛光碎屑移除。

主权项

一种抛光垫，其适用于使用抛光流体以及所述抛光垫与半导体、光学和磁衬底中的至少一个之间的相对运动来抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个，所述抛光垫包括以下各项：抛光层，其具有聚合物基质和厚度，所述抛光层包含中心、周边、从所述中心延伸到所述周边的半径以及环绕所述中心且与所述半径相交的抛光轨迹，所述抛光轨迹表示所述抛光层的用于抛光或平面化半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个的工作区；多个馈料器凹槽(δ)，其与所述半径相交，所述馈料器凹槽(δ)具有在所述馈料器凹槽(δ)之间的用于使用所述抛光垫和所述抛光流体抛光或平面化半导体、光学或磁衬底中的所述至少一个的凸台区域，所述多个馈料器凹槽(δ)具有平均横截面馈料器面积(δa)，所述平均横截面馈料器面积(δa)是每一馈料器凹槽的总横截面积除以馈料器凹槽(δ)的总数目；至少一个径向排放凹槽(ρ)，其在所述抛光层中，与所述多个馈料器凹槽(δ)相交以用于允许所述抛光流体从所述多个馈料器凹槽(δ)流到所述至少一个径向排放凹槽(ρ)，且所述至少一个径向排放凹槽(ρ)具有平均排放横截面积(ρa)，所述至少一个径向排放凹槽的所述平均排放横截面积(ρa)大于所述平均横截面馈料器面积(δa)，如下：2*δa≤ρa≤8*δa其中(nr)表示径向凹槽的数目，且(nf)表示馈料器凹槽的数目，且(0.15)nf*δa≤nr*ρa≤(0.35)nf*δa且所述至少一个径向排放凹槽(ρ)延伸穿过所述抛光轨迹，以用于促进在所述抛光垫旋转期间穿过所述抛光轨迹且在半导体、光学和磁衬底中的所述至少一个下面且接着超出所述抛光轨迹朝向所述抛光垫的所述周边的抛光碎屑移除。