[发明专利]铟镓合金作为代汞物在氧化层固定电荷测试中的方法

摘要

本发明涉及一种铟镓合金作为代汞物在氧化层固定电荷测试中的方法，所述方法包括以下步骤1、将固体单晶铟和镓按照一定配比放在石墨坩埚内进行加温熔制；2、熔制过程中使用石英棒适当搅拌直至形成铟和镓的合金；3、停止加热，待铟镓合金物冷却至室温后，将其装入密闭不透光容器内保存；4、选择N型掺杂衬底，晶向＜100＞的硅材料片，在Si表面生长一层SiO2层；5、将生长有SiO2层的一面向上放置在金属台盘上，硅衬底一面与金属台盘接触，开启真空吸附；6、使用毛细吸管从密闭容器中获取铟镓合金，并在SiO2层表面制作一个金属电极；7、旋下金属探针杆，使探针与铟镓合金良好接触；8、在预定的偏置电压下进行扫描，得到C‑V测试结果。

主权项

一种铟镓合金作为代汞物在氧化层固定电荷测试中的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：步骤一：将固体单晶铟和镓按照一定配比放在石墨坩埚内进行加温熔制；步骤二：熔制过程中使用石英棒适当搅拌直至形成铟和镓的合金；步骤三：停止加热，待铟镓合金物冷却至室温后，将其装入密闭不透光容器内保存；步骤四：选择N型掺杂衬底，晶向＜100＞的硅材料片，在Si表面生长一层SiO2层；步骤五：将生长有SiO2层的一面向上放置在金属台盘上，硅衬底一面与金属台盘接触，开启真空吸附；步骤六：使用毛细吸管从密闭容器中获取铟镓合金，并在SiO2层表面制作一个金属电极；步骤七：旋下金属探针杆，使探针与铟镓合金良好接触；步骤八：在预定的偏置电压下进行扫描，得到C‑V测试结果。