[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710185864.9 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN107230645A | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 黄伟立;翁正杰;苏祥盛;黄宗隆;刘国洲;黄信傑;廖德堆;古进誉;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。一种制造半导体结构的方法，所述方法包含形成传导层于第一绝缘层上；蚀刻所述传导层的一部分，以暴露所述第一绝缘层的一部分；变形所述第一绝缘层的所述部分的表面，以形成所述第一绝缘层的粗糙表面；以及从所述第一绝缘层的所述粗糙表面移除所述传导层的残留物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体结构的方法，其包括：形成传导层于第一绝缘层上；蚀刻所述传导层的一部分，以暴露所述第一绝缘层的一部分；变形所述第一绝缘层的所述部分的表面，以形成所述第一绝缘层的粗糙表面；以及从所述第一绝缘层的所述粗糙表面移除所述传导层的残留物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
