[发明专利]立式石墨烯卷对卷连续生长设备在审
申请号: | 201710186735.1 | 申请日: | 2017-03-27 |
公开(公告)号: | CN106756896A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 伍俊;李占成;史浩飞;王仲勋;李华峰;李昕;黄德萍 | 申请(专利权)人: | 重庆墨希科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/26 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人: | 刘文娟 |
地址: | 401329 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明公开了一种能够提高生产效率,降低能耗,保证产品品质的立式石墨烯卷对卷连续生长设备。该立式石墨烯卷对卷连续生长设备,包括真空上料室、高温工艺腔室、真空取料室、驱动装置;所述真空上料室和真空取料室均设置有真空泵;所述高温工艺腔室上设置有快速加热装置;所述真空上料室位于高温工艺腔室的下端,所述真空取料室设置在高温工艺腔室的上端;所述高温工艺腔室的两端均设置有快速冷却装置;所述真空上料室内设置有用于检测石墨烯薄膜张力的张力检测装置,所述真空取料室内设置有用于检测石墨烯薄膜线速度的速度检测装置。采用该立式石墨烯卷对卷连续生长设备能够提高产品品质,节约生产成本。 | ||
搜索关键词: | 立式 石墨 连续 生长 设备 | ||
【主权项】:
立式石墨烯卷对卷连续生长设备,包括真空上料室(1)、高温工艺腔室(7)、真空取料室(8)、驱动装置;所述真空上料室(1)内设置有石墨烯生长基底放料辊(2),所述真空取料室(8)内设置有石墨烯基底收料辊(9)以及收料导向辊(10);所述真空上料室(1)和真空取料室(8)均设置有真空泵;所述石墨烯生长基底放料辊(2)以及石墨烯基底收料辊(9)均通过驱动装置,驱动转动;所述高温工艺腔室(7)上设置有快速加热装置(6);其特征在于:所述高温工艺腔室(7)设置在真空上料室(1)与真空取料室(8)之间;所述真空上料室(1)位于高温工艺腔室(7)的下端,所述真空取料室(8)设置在高温工艺腔室(7)的上端;所述高温工艺腔室(7)的两端均设置有快速冷却装置(5);所述真空上料室(1)内设置有用于检测石墨烯薄膜(16)张力的张力检测装置(3),所述真空取料室(8)内设置有用于检测石墨烯薄膜(16)线速度的速度检测装置(11)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的