[发明专利]封装结构及其形成方法

摘要

一种封装结构及其形成方法，封装结构包括：包括芯片区域以及环绕芯片区域的外围区域的晶圆；位于芯片区域以及外围区域的晶圆上的第一钝化层；位于芯片区域的第一钝化层上的若干分立的铝电极层；位于第一钝化层上的第二钝化层，第二钝化层覆盖铝电极层的顶部和侧壁；位于芯片区域和外围区域的第二钝化层上的聚合物隔离层；位于芯片区域的聚合物隔离层中的金属再布线层，且金属再布线层与所述铝电极层电连接；位于外围区域的聚合物隔离层中的阻挡墙结构且阻挡墙结构环绕芯片区域的铝电极层。本发明避免或抑制了所述铝电极层台阶拐角区域的第二钝化层开裂问题，从而防止铝电极层被暴露出来，进而改善封装结构的性能。

主权项

1.一种封装结构，其特征在于，包括：晶圆，所述晶圆包括芯片区域以及环绕所述芯片区域的外围区域；位于所述芯片区域以及外围区域的晶圆上的第一钝化层；位于所述芯片区域的第一钝化层上的若干分立的铝电极层；位于所述第一钝化层上的第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述铝电极层的顶部和侧壁；位于所述芯片区域和外围区域的第二钝化层上的聚合物隔离层；位于所述芯片区域的聚合物隔离层中的金属再布线层，且所述金属再布线层与所述铝电极层电连接；位于所述外围区域的聚合物隔离层中的阻挡墙结构，所述阻挡墙结构位于所述外围区域的第一钝化层上，且所述阻挡墙结构环绕所述芯片区域的铝电极层。