[发明专利]一种高阶表面光栅面发射半导体激光器有效
| 申请号： | 201710187551.7 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106848836B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张敏明;敖应权;刘德明 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/12 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 廖盈春;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高阶表面光栅面发射半导体激光器，包括依次设置的表面金属电极层，脊波导层，p型掺杂包层，光栅层，p型掺杂光限制层，量子阱或量子点有源区，n型掺杂光限制层和衬底层；在光栅层分布有一阶光栅；在一阶光栅上方且在谐振腔中央分布有用于将沿着水平方向谐振的光能量耦合到垂直方向上输出的高阶表面光栅。位于光栅层上方，激光器谐振腔中央的长度为(9‑100)微米的高阶表面光栅。高阶表面光栅将激光器谐振腔中的行波模耦合成为辐射模，实现激光的表面输出。激光器表面输出光与标准单模光纤纤芯进行直接耦合。并在高阶表面光栅中央引入一段中央相移，可以使高阶表面光栅面发射激光器与标准单模光纤具有超过50％的耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 光栅 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种高阶表面光栅面发射半导体激光器，其特征在于，包括：依次设置的表面金属电极层，脊波导层，p型掺杂包层，光栅层，p型掺杂光限制层，量子阱或量子点有源区，n型掺杂光限制层和衬底层；在所述光栅层分布有用于实现激光器的谐振和单模激射的一阶光栅；在所述一阶光栅上方分布有用于将沿着水平方向谐振的光能量耦合到垂直方向上输出的高阶表面光栅；所述高阶表面光栅的周期为1μm～5μm；所述水平方向是指激光器的光谐振方向，所述垂直方向是指与所述水平方向垂直的方向，所述谐振腔是指光波在其中来回反射从而提供光能反馈的腔，由工作介质和两端面反射镜构成。
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