[发明专利]双极结型晶体管的紧凑器件结构有效
| 申请号： | 201710187559.3 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN107316889B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 夫厚尔·杰恩;瑞纳塔·卡米罗-卡斯罗;刘岂之;J·J·派卡里克;亚文·Ｊ·乔瑟夫;P·B·格雷 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/73;H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一双极结型晶体管的紧凑器件结构及使用一衬底制造一器件结构的方法。一个或多个主沟槽隔离区域围绕该衬底的一有源器件区域以及该衬底的一集电极接触区域的周围而形成。一基极层形成于该有源器件区域以及该集电极接触区域上，且该有源器件区域包括一集电极。各主沟槽隔离区域垂直延伸至该衬底内的一第一深度。一沟槽横向位于该基极层与该集电极接触区域之间而形成，并垂直延伸通过该基极层并延伸至该衬底内小于该第一深度的一第二深度。一介电质形成于该沟槽内以形成一次沟槽隔离区域。一发射极形成于该基极层上。 | ||
| 搜索关键词： | 双极结型 晶体管 紧凑 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种使用一衬底形成的一器件结构，该器件结构包括：一个或多个主沟槽隔离区域，其位于该衬底的一有源器件区域以及该衬底的一第一集电极接触区域的周围，各该主沟槽隔离区域垂直延伸至该衬底内的一第一深度，且该有源器件区域包括一集电极；一基极层，其位于该有源器件区域上；一发射极，其位于该基极层上；以及一第一次沟槽隔离区域，其垂直延伸通过该基极层并延伸至该衬底内小于该第一深度的一第二深度，该第一次沟槽隔离区域横向位于该基极层与该第一集电极接触区域之间。
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