[发明专利]一种氮化镓基肖特基二极管半导体器件及制造方法在审
| 申请号： | 201710187814.4 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN107393969A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 欧阳伟伦;梁安杰;罗文健 | 申请（专利权）人： | 香港商莫斯飞特半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 中国香港新界沙田火炭坳背*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基肖特基二极管半导体器件及制造方法，包括以下步骤在硅单晶衬底上依次形成AlN层、掺杂Fe离子的AlGaN层、掺杂碳离子的GaN外延层、非掺杂的GaN外延层、非掺杂的AlGaN外延层,以及GaN帽层；形成第一接触孔掩模开孔，并在第一接触孔掩模开孔中形成阴极金属；形成第一肖特基接触孔，在第一肖特基接触孔中形成第一肖特基金属，并与GaN表面构成低势垒肖特基接触；形成第二肖特基接触孔，在第二肖特基接触孔中形成第二肖特基金属，并与GaN表面构成高势垒肖特基接触；形成肖特基二极管的阳板垫层和阴极金属垫层。本发明的半导体器件，由两种不同势垒的肖特基势垒接触组成，在低导通电压下能注入更多的电流，反向偏置时，能保持较低的反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓基肖特基 二极管 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基肖特基二极管半导体器件的制造方法，包括以下步骤：1）在硅单晶衬底上依次形成AlN层、掺杂Fe离子的AlGaN层、掺杂碳离子的GaN外延层、非掺杂的GaN外延层、非掺杂的AlGaN外延层, 以及GaN帽层；2）形成第一接触孔掩模开孔，并在第一接触孔掩模开孔中形成阴极金属；3）形成第一肖特基接触孔，在第一肖特基接触孔中形成第一肖特基金属，并与GaN表面构成低势垒肖特基接触；4）形成第二肖特基接触孔，在第二肖特基接触孔中形成第二肖特基金属，并与GaN表面构成高势垒肖特基接触；5）形成肖特基二极管的阳板垫层和阴极金属垫层。
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