[发明专利]一种赭曲霉毒素A光电化学传感器的制备方法及应用

摘要

本发明涉及一种赭曲霉毒素A光电化学传感器的制备方法及应用。该方法利用BiVO4/TiO2作为基底材料，其优良的导电性和大的表面积能有效减小背景信号。采用直接滴加AgNO3和Na2S的方法，在BiVO4表面原位生成高光电转换率的窄带隙Ag2S光电活性材料，通过可见光波长的LED灯照射Ag2S，产生光电流信号。载体BiVO4/TiO2与Ag2S能带匹配度良好，能进一步提高Ag2S的光电转换信号，从而实现了赭曲霉毒素A的高灵敏测定。

主权项

一种赭曲霉毒素A光电化学传感器的制备方法，其特征在于，包括以下几个步骤：（1）将ITO导电玻璃切割至2.5 cm × 1.0 cm大小，依次用丙酮、乙醇和超纯水清洗30 min，氮气吹干；（2）取8 ~ 12 µL、5 mg/mL的TiO2滴加到导电玻璃的导电面，室温下晾干，4 ~ 6 µL、3 mg/mL的BiVO4滴加到TiO2上，室温下晾干，450℃煅烧30 min，冷却，得到BiVO4/TiO2，然后在其上面原位生长Ag2S, 制得Ag2S@BiVO4/TiO2修饰电极；（3）继续在Ag2S@BiVO4/TiO2修饰电极表面滴加2 ~ 4 µL、3 mmol/L的巯基乙酸，室温下晾干，滴加3 ~ 5 μL 的含 1×10‑2 mol/L1‑乙基‑3‑(3‑二甲基氨丙基)碳二亚胺EDC和2×10‑3 mol/L N‑羟基琥珀酰亚胺NHS的混合溶液，4 ℃冰箱中干燥，超纯水冲洗；（4）继续将3 ~ 5 µL、10 µg/mL的赭曲霉毒素A抗体滴加到电极表面，4 ℃冰箱中干燥，超纯水冲洗；（5）继续将3 µL、质量分数为1% ~ 2% 的BSA溶液滴加到电极表面，以封闭电极表面上非特异性活性位点，4 ℃冰箱中晾干，超纯水冲洗电极表面；（6）将4 µL、5 pg/mL‑750 ng/mL的一系列不同浓度的赭曲霉毒素A抗原溶液滴加到电极表面，4 ℃冰箱中孵化30 min，超纯水冲洗电极表面除去未结合的赭曲霉毒素A抗原，制得一种赭曲霉毒素A光电化学传感器。