[发明专利]n型晶体硅太阳电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种n型晶体硅太阳电池及其制备方法。所述n型晶体硅太阳电池的背场是通过n型晶体硅和n型晶体硅背面的低功函材料来实现的；低功函材料为低功函金属或低功函合金；低功函金属可以为镁、锗、锂、钕或钙等，低功函合金可以为镁钕合金、镁锗合金、镁锂合金、锗锂合金或钙镁锗锂合金等。将低功函金属或低功函合金制作在n型晶体硅的背面，可实现能带弯曲，形成“n‑n⁺”高低结，进而可驱赶空穴，增强电子的传输功能，使电池获得高的开路电压及短路电流，提高电池的效率。而且，制备过程简单，成本低，无需高温，无需后退火处理，还不会给硅片带来损伤，也不会对环境造成污染。

主权项

1.一种n型晶体硅太阳电池，其特征是，所述n型晶体硅太阳电池的背场是通过n型晶体硅和n型晶体硅背面的低功函材料来实现的；低功函材料的功函数小于n型晶体硅的功函数，在n型晶体硅与低功函材料的界面处可实现能带弯曲，形成“n‑n+”高低结，进而实现背场作用；n型晶体硅背面的低功函材料为镁、锂、钕、钙、镁钕合金、镁锗合金、镁锂合金、锗锂合金或钙镁锗锂合金；n型晶体硅背面的低功函材料的成型方式为薄膜或电子浆料。