[发明专利]金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710188701.6 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106981512B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴;王艳丰;王玮;常晓慧;李硕业;张景文;卜忍安;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 61219 陕西增瑞律师事务所 | 代理人： | 刘春 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金刚石基常关型场效应晶体管，包括金刚石衬底，上设置有单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜的表面设置有源区以及包围有源区的器件隔离区，有源区为二维空穴气，有源区的上方依次间隔设置有源极、栅极和漏极，有源区的表面设置有导电沟道；导电沟道包括氢终端与氧终端、或氢终端与氟终端交替设置的沟道，通过表面处理技术调节所述导电沟道的氧化或氟化程度的强弱，进而调节对氧终端或氟终端临近的氢终端部分的耗尽程度，实现栅偏压零时器件的关断特性，以提供一种可以在高压、高频电子领域广泛应用的常关型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 基常关型 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.金刚石基常关型场效应晶体管，其特征在于，包括金刚石衬底(1)，所述金刚石衬底(1)上设置有单晶金刚石外延薄膜(2)，所述单晶金刚石外延薄膜(2)的表面经过处理后划分为有源区(3)以及包围有源区(3)的器件隔离区(7)，所述有源区(3)为二维空穴气，所述有源区(3)的上方依次间隔设置有源极(4)、栅极(6)和漏极(5)，所述有源区(3)的表面设置有导电沟道；所述导电沟道包括氢终端与氧终端、或氢终端与氟终端交替设置的沟道，通过表面处理技术调节所述导电沟道的氧化或氟化程度的强弱，进而调节对氧终端或氟终端临近的氢终端部分的耗尽程度，实现栅偏压零时器件的关断特性；/n其中，所述导电沟道包括交替设置的横向沟道隔离区(8)和横向氢终端沟道区(9)，所述横向沟道隔离区(8)和横向氢终端沟道区(9)的两端分别指向源极(4)和漏极(5)；所述的横向沟道隔离区(8)为有源区(3)经过选择性表面处理技术处理后所形成的区域，其电阻率大于10
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