[发明专利]用于去除聚合物和清洁工件的活性自由基处理在审
| 申请号： | 201710190268.X | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN107293478A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李中杰;曾鸿辉;杨棋铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种去除聚合物的方法。施加水溶液到在其上设置有聚合物的半导体工件上。水溶液包括被构造为响应于能量而生成活性自由基的能量接收器。施加能量到水溶液上以在水溶液中生成活性自由基并去除聚合物。本发明还提供了一种生成所述活性自由基的处理工具。本发明实施例涉及用于去除聚合物和清洁工件的活性自由基处理。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 聚合物 清洁 工件 活性 自由基 处理 | ||
【主权项】：
一种用于去除聚合物的方法，所述方法包括：将水溶液施加到半导体工件上，所述半导体工件上布置有聚合物，其中，所述水溶液包括构造为响应于能量而生成活性自由基的能量接收器；以及对所述水溶液施加能量以在所述水溶液中生成所述活性自由基并去除所述聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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