[发明专利]一种单分散纳米环及其制备方法在审
| 申请号： | 201710190518.X | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106978596A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 郭振刚 | 申请（专利权）人： | 天津城建大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;C23C14/02;B22F1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单分散纳米环的制备方法。该方法通过在基片上制备单分散的聚苯乙烯微球，利用磁控溅射沉积薄膜的方法在基片上沉积一层薄膜，然后利用离子刻蚀技术对薄膜进行刻蚀，来制备单分散的纳米环结构样品。制备的单分散纳米环具有良好的均一性，并通过采用不同尺寸的聚苯乙烯微球可以制备不同尺寸的纳米环。该纳米环外形为圆形，纳米环的外径为20nm‑10μm，纳米环的内径小于纳米环的外径，纳米环的宽度是5nm‑1μm，纳米环的厚度是1nm‑500nm。该纳米环具有单分散性，结构一致以及尺寸可控等特点，制备方法简单，产额较高，在催化剂、电极材料、传感器和医学成像方面有广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分散 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单分散纳米环，其特征在于：所述纳米环单分散性好，结构均一，尺度可调；外形为圆形，所述纳米环的外径为20nm‑10μm，所述纳米环的内径小于纳米环的外径，所述纳米环的宽度是5nm‑1μm，所述纳米环的厚度是1nm‑500nm。
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