[发明专利]控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质有效
申请号: | 201710191094.9 | 申请日: | 2017-03-28 |
公开(公告)号: | CN107236936B | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
发明(设计)人: | 竹永裕一;笠井隆人 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L21/02;H01L21/66 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。控制装置控制基板形成第一膜后形成第二膜而形成层叠膜的基板处理装置的动作,具有:制程存储部,存储包括形成第一膜的第一成膜条件和形成第二膜的第二成膜条件的成膜条件;模型存储部,存储包括表示第一成膜条件对第一膜特性影响的第一工艺模型和表示第二成膜条件对第二膜特性影响的第二工艺模型的工艺模型;以及控制部,基于包括利用制程存储部存储的第一成膜条件和第二成膜条件形成第一膜和第二膜的层叠膜的特性的测定值和模型存储部存储的第二工艺模型调整第二成膜条件,基于利用第一成膜条件和调整后的第二成膜条件形成层叠膜的情况下预测层叠膜特性的预测值判定是否要调整第一成膜条件。 | ||
搜索关键词: | 控制 装置 处理 系统 方法 以及 存储 介质 | ||
【主权项】:
一种控制装置,对在基板上形成第一膜之后形成第二膜来形成层叠膜的基板处理装置的动作进行控制,该控制装置具有:制程存储部,其存储成膜条件,该成膜条件包括形成所述第一膜的第一成膜条件和形成所述第二膜的第二成膜条件;模型存储部,其存储工艺模型,该工艺模型包括表示所述第一成膜条件对所述第一膜的特性产生的影响的第一工艺模型和表示所述第二成膜条件对所述第二膜的特性产生的影响的第二工艺模型;以及控制部,其基于包括利用所述制程存储部中存储的所述第一成膜条件和所述第二成膜条件形成的所述第一膜和所述第二膜的所述层叠膜的特性的测定值和所述模型存储部中存储的所述第二工艺模型来调整所述第二成膜条件,基于利用所述第一成膜条件和调整后的所述第二成膜条件形成所述层叠膜的情况下的预测的所述层叠膜的特性的预测值来判定是否要调整所述第一成膜条件。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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