[发明专利]基于局部分形维的平面阵列电容成像缺陷检测定位方法在审
| 申请号： | 201710191853.1 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN107422002A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 温银堂;张振达;梁希;孙娜;孙东涛;张玉燕;潘钊 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | G01N27/24 | 分类号： | G01N27/24 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368 | 代理人： | 魏秀枝 |
| 地址： | 066004 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于局部分形维的平面阵列电容成像缺陷检测定位方法，包括如下步骤S1将被测样件平行正对置于平面电极阵列传感器上，测量此时的电容值，作为测量物场电容值；S2图像重建利用LBP算法重建出介电常数分布图像；S3图像处理提取伪色图像中缺陷颜色所对应的颜色矩阵；S4将重建图形分块，并计算每块的分形维维数，根据重建图像的分块分形维维数直方图确定阈值；S5标记出分形维维数大于阈值的方孔，得到最终标记结果。本申请针对航空用复合材料结构的粘接层缺陷，提出基于平面阵列电极电容成像检测方法，将分形理论应用到平面阵列电极电容成像重建图像的缺陷自动定位中，实现对重建图像进行缺陷的自动标记，提高了缺陷定位精度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 局部 分形维 平面 阵列 电容 成像 缺陷 检测 定位 方法 | ||
【主权项】：
基于局部分形维的平面阵列电容成像缺陷检测定位方法，其特征在于，包括如下步骤：S1将被测样件平行正对置于平面电极阵列传感器上，测量此时的电容值，作为测量物场电容值；S2图像重建：利用LBP算法重建出介电常数分布图像；S3图像处理：提取伪色图像中缺陷颜色所对应的颜色矩阵；S4利用MATLAB将重建图形分块，并计算每块的分形维维数，根据重建图像的分块分形维维数直方图确定阈值；S5标记出分形维维数大于阈值的方孔，得到最终标记结果。
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