[发明专利]用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚有效
| 申请号： | 201710192431.6 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106968017B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杨祥龙;徐现刚;胡小波;陈秀芳;彭燕 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚，该坩埚的坩埚体的侧壁采用低密度的石墨材料制成，使得坩埚和碳化硅生长组分源料吸附的杂质元素氮，随着生长腔内温度的升高，氮杂质逐渐解吸附，在坩埚内部形成较高的氮气分压，进而与坩埚外部环境形成一定浓度差，氮杂质很容易通过低密度的坩埚体侧壁扩散出去。进一步的，该坩埚体侧壁中还设计有夹层腔，夹层腔中放置的粉料可以在夹层腔中提供生长碳化硅晶体用的生长组分蒸汽压，并且夹层腔中的生长组分蒸汽压等于或者略大于生长腔内的生长组分蒸汽压,避免了生长腔中生长组分蒸汽压直接从低密度石墨材料的侧壁扩散至生长腔外部，进而有效促进低杂质含量的高纯半绝缘碳化硅晶体的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 高纯 绝缘 碳化硅 晶体 坩埚 | ||
【主权项】：
一种用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚，其特征在于，包括坩埚体(12)，其中：所述坩埚体(12)包括底壁、以及从所述底壁延伸出的侧壁，由所述底壁和所述侧壁围成用于放置碳化硅多晶粉料的内腔室(14)，所述侧壁包括低密度石墨材料侧壁；所述侧壁中设有用于放置生长组分源的夹层腔(13)；所述生长组分源，用于在所述夹层腔(13)中提供生长碳化硅晶体用的生长组分蒸汽压；所述夹层腔(13)中的生长组分蒸汽压大于或等于所述内腔室(14)中的生长组分蒸汽压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710192431.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
