[发明专利]含横向尺寸改变吸收缓冲层的铁电存储单元及其制造方法

摘要

本申请涉及含横向尺寸改变吸收缓冲层的铁电存储单元及其制造方法。铁电存储单元(1)和包括一个或多个这样的单元(1)的存储设备(100)。铁电存储单元包括布置在柔性衬底(3)上的层的堆叠(4)。所述堆叠包括电活性部分(4a)和用以保护电活性部分免于划伤和磨损的保护层(11)。所述电活性部分包括底部电极层(5)和顶部电极层(9)以及位于所述电极之间的至少一个铁电存储材料层(7)。该堆叠还包括布置在顶部电极层(9)和保护层(11)之间的缓冲层(13)。缓冲层(13)适于至少部分地吸收发生在保护层(11)内的横向尺寸改变(ΔL)并且因此防止所述尺寸改变(ΔL)转移到电活性部分(4a)，因此减少发生在电极之间的短路风险。

主权项

一种制造具有减少的短路风险的铁电存储单元(1)的方法，包括以下步骤：‑提供(110)柔性衬底(3)，‑将电活性部分(4a)布置(110)为所述衬底上的堆叠层，其中所述电活性部分包括底部电极层(5)、顶部电极层(9)以及在所述底部电极层和所述顶部电极层之间的至少一个绝缘或半绝缘层(7)，‑将保护层流体材料沉积在所述电活性部分的顶部上，‑将所述保护层流体材料硬化(140)成保护性硬层(11)，其特征在于以下步骤：在所述保护层流体材料的沉积之后但在所述硬化的步骤之前电操作(120)所述电活性部分。