[发明专利]一种氮化镓薄膜及其制备方法和石墨烯薄膜及其制备方法

摘要

本发明实施例公开了一种氮化镓薄膜及其制备方法和石墨烯薄膜及其制备方法，该氮化镓薄膜的制备方法包括提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上依次形成具有第一孔隙结构的石墨烯催化层和具有第二孔隙结构的石墨烯掩膜层，第一孔隙结构和第二孔隙结构相同；在石墨烯掩膜层的表面上以及在石墨烯掩膜层的孔隙中裸露的氮化镓缓冲层的表面上外延生长氮化镓层。本发明实施例中，以具有孔隙结构的石墨烯掩膜层作为掩膜外延生长氮化镓层，可有效减少在半导体衬底上生长氮化镓薄膜的位错密度，有效降低氮化镓外延层与石墨烯掩膜层接触部分的低角度晶界缺陷，使所形成的氮化镓薄膜能够均匀分布且具有很好的晶相结构。

主权项

一种氮化镓薄膜的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成氮化镓缓冲层；在所述氮化镓缓冲层上依次形成具有第一孔隙结构的石墨烯催化层和具有第二孔隙结构的石墨烯掩膜层，所述第一孔隙结构和所述第二孔隙结构相同；在所述石墨烯掩膜层的表面上以及在所述石墨烯掩膜层的孔隙中裸露的所述氮化镓缓冲层的表面上外延生长氮化镓层。