[发明专利]半导体存储装置及其形成方法

摘要

本发明公开一种半导体存储装置及其形成方法，半导体存储装置包含多个主动区、浅沟槽隔离、多个沟槽与多个栅极结构。多个主动区是定义在半导体基底上，且被浅沟槽隔离环绕。多个沟槽是设置在半导体基底内并穿过多个主动区与浅沟槽隔离。其中，各沟槽在多个主动区内具有底面，而底面上还设置有向上突起的鞍部。多个栅极结构则是分别设置在多个沟槽内。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包含：多个主动区，该些主动区是定义于一半导体基底上；浅沟槽隔离，设置在该半导体基底上并环绕该些主动区；多个沟槽，设置在该半导体基底内并贯穿该些主动区与该浅沟槽隔离，各沟槽在各该主动区内具有一底面以及向上突设的一鞍部；以及多个栅极结构，分别设置在该些沟槽内。