[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的镀膜工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的镀膜工艺，采用在晶体硅基板表面溅射单层硼铝化合物减反射膜；溅射方法：对晶体硅基板表面进行预清洗；将经过预清洗的晶体硅表面进行刻蚀操作；将经过刻蚀操作的晶体硅转移至磁控溅射室内，作为基材，采用单质铝作为靶材，充入硼氢烷和惰性气体的混合气对基材施加负偏压，进行溅射，得到硼铝化合物减反射膜。本发明镀膜材料新颖，可有效改善晶体硅太阳能电池的光电转换效率。

主权项

1.一种晶体硅太阳能电池的镀膜工艺，其特征在于，在晶体硅基板表面溅射单层硼铝化合物减反射膜；所述单层硼铝化合物减反射膜的溅射方法，包括以下步骤：步骤S1，对晶体硅基板表面进行预清洗；步骤S2，将经过预清洗的晶体硅表面进行刻蚀操作；步骤S3，将经过刻蚀操作的晶体硅转移至磁控溅射室内，作为基材，采用单质铝作为靶材，在真空度为10‑4Pa～5×10‑3Pa，靶材温度为200℃～250℃，溅射电流为12A～14A的条件下，以150g/cm3～200g/cm3的进气量充入硼氢烷和惰性气体的混合气，至磁控溅射室内的压力稳定在10‑2Pa～10‑3Pa，对基材施加负偏压120V～150V，溅射10min～15min，得到硼铝化合物减反射膜。