[发明专利]一种宽禁带III-V CMOS应变场效应晶体管有效
| 申请号： | 201710192955.5 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106847911B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 黎明 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/78;H01L27/092;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基于硅衬底的、结合了n沟道晶体管和p沟道晶体管的宽禁带III‑V CMOS应变场效应晶体管，采用MOCVD或MBE设备外延生长，由在硅衬底上依次外延生长的第一多层晶格应变缓冲层、GaSb沟道层、AlGaSb势垒层、GaSb帽层、第二多层晶格应变缓冲层、In0.53Ga0.47As沟道层、In0.52Al0.48As势垒层及In0.53Ga0.47As帽层构成。本发明可有效地提升p沟道晶体管迁移率，以改进III‑V中n沟道晶体管和p沟道晶体管迁移率巨大差别的问题，并提供高载流子速度与高驱动电流的宽禁带III‑V族晶体管通道，有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应，降低功耗，克服摩尔定律，打破极限，维持半导体产业等比例缩小进程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽禁带 iii vcmos 应变 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种宽禁带III‑V CMOS应变场效应晶体管，其特征在于，包括P沟道晶体管和n沟道晶体管；P沟道晶体管在硅衬底上依次外延生长第一多层晶格应变缓冲层、GaSb沟道层及AlGaSb势垒层，AlGaSb势垒层上方生长第一GaSb帽层和第二GaSb帽层，所述GaSb沟道层与AlGaSb势垒层形成二维空穴气；所述第一GaSb帽层上形成有第一漏极，且AlGaSb势垒层上形成有第一栅极，第二GaSb帽层上形成有第一源极；n沟道晶体管在所述第二GaSb帽层上依次外延生长第二多层晶格应变缓冲层、In0.53Ga0.47As沟道层及In0.52Al0.48As势垒层，In0.52Al0.48As势垒层上方生长第一In0.53Ga0.47As帽层和第二In0.53Ga0.47As帽层，所述In0.53Ga0.47As沟道层与In0.52Al0.48As势垒层形成二维空穴气，且第一In0.53Ga0.47As帽层上形成有第二源极，In0.52Al0.48As势垒层上形成有第二栅极，第二In0.53Ga0.47As帽层上形成有第二漏极；所述第一多层晶格应变缓冲层不掺杂，厚度为800～1800nm，从下至上先低温生长GaAs缓冲层，再高温生长GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层，再采用梯度结构生长GaAsySb1‑y缓冲层，再生长GaSb/AlGaSb超晶格缓冲层；y的值从1逐步降为0；GaSb/AlGaSb超晶格缓冲层中Al含量小于30％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都海威华芯科技有限公司，未经成都海威华芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710192955.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种GaN基半导体器件及其制备方法
- 下一篇：一种可更换镜片的太阳镜
- 同类专利
- 专利分类
