[发明专利]一种晶圆级封装结构的制备方法及晶圆级封装结构在审
| 申请号： | 201710193790.3 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106876333A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 任玉龙;孙鹏;耿菲 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级封装结构的制备方法及晶圆级封装结构，其中，晶圆级封装结构的制备方法包括提供集成有多颗芯片的第一晶圆，其中，所述第一晶圆包括形成有多个凸点的正面以及相对于所述正面的背面，所述凸点与对应的芯片电连接；对所述第一晶圆进行临时键合；沿所述第一晶圆背面的切割道设定位置对所述第一晶圆进行刻蚀，且至少刻蚀至键合界面；对所述第一晶圆进行解键合，形成单颗芯片。本发明可降低对切割道尺寸的要求，增加晶圆的有效芯片数量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于，包括：提供集成有多颗芯片的第一晶圆，其中，所述第一晶圆包括形成有多个凸点的正面以及相对于所述正面的背面，所述凸点与对应的芯片电连接；对所述第一晶圆进行临时键合；沿所述第一晶圆背面的切割道设定位置对所述第一晶圆进行刻蚀，且至少刻蚀至键合界面；对所述第一晶圆进行解键合，形成单颗芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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