[发明专利]一种提高光利用率的图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种提高光利用率的图像传感器，包括集成衬底单元和交替隔离层，所述集成衬底单元中包括光电二极管；其中，还包括光通道沟槽、光通道和反射薄膜；所述光通道沟槽通过刻蚀所述交替隔离层形成，且位于上述光电二极管的正上方，为锥形沟槽；所述光通道填充在所述光通道沟槽中，所述反射薄膜位于所述锥形光通道沟槽的两边侧壁上，并且呈两边薄中间厚具有固定曲率的凸面，入射光通过所述光通道到达所述光电二极管。本发明提供的一种提高光利用率的图像传感器反射薄膜具有好的遮光效果，光通道具有好的折射效果，增加了光利用率，并且工艺简单，成本低，灵敏度小，噪音小。

主权项

一种提高光利用率的图像传感器，包括集成衬底单元和交替隔离层，所述集成衬底单元中包括N型光电二极管和P型光电二极管；其特征在于，还包括光通道沟槽、光通道和反射薄膜；所述交替隔离层和光通道沟槽位于所述集成衬底单元的上方，所述光通道沟槽通过刻蚀所述交替隔离层形成，所述光通道沟槽位于上述N型光电二极管和P型光电二极管的正上方且为锥形沟槽；所述光通道填充在所述光通道沟槽中，所述反射薄膜位于所述锥形光通道沟槽的两边侧壁上，并且为两边薄中间厚具有固定曲率的凸面，入射光通过所述光通道到达所述N型光电二极管和P型光电二极管。