[发明专利]基于磁控溅射和后硒化制备太阳能电池吸收层Sb2Se3薄膜的方法

摘要

本发明公开一种基于磁控溅射和后硒化制备太阳能电池吸收层Sb₂Se₃薄膜的方法。其特征衬底为镀钼薄膜、导电玻璃、钠钙玻璃、石英玻璃以及金属箔中的一种；磁控溅射的Sb2Se3靶材，纯度为96~99.9%；将Sb₂Se₃靶材通过磁控溅射在氩气氛围下沉积于清洁衬底上，形成Sb₂Se₃前驱体薄薄膜，真空保存；将Sb₂S₃前驱体薄膜在硒气氛下进行硒化热处理，最终得到本方法所述的Sb₂Se₃薄膜。本发明采用磁控溅射Sb₂Se₃前驱体薄膜后在硒气氛中热处理的制备方法，具有合成薄膜成相纯净单一，制作工艺简单、安全无毒、可实现大面积生产以及厚度易控等优点。

主权项

1.一种基于磁控溅射和后硒化制备太阳能电池吸收层Sb₂Se₃薄膜的方法，其特征在于：步骤一：选择衬底，对衬底表面进行清洗获得清洁衬底，将清洗好的清洁衬底基片放置于磁控溅射镀膜系统的磁控溅射工作室内；步骤二：将磁控溅射镀膜系统的本底抽至真空，在此真空条件下将Sb₂Se₃靶材溅射于步骤一所述清洁衬底上，沉积时间1~3h，形成Sb₂Se₃薄膜；溅射是在0.01~0.2pa环境下进行，溅射功率30w~120w；步骤三：将在步骤二得到厚度在400nm~1.2μm之间的Sb₂Se₃薄膜，在硒气氛下进行硒化热处理，最终得到太阳能电池吸收层Sb₂Se₃薄膜。