[发明专利]过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯异质结的制备方法有效
| 申请号： | 201710196517.6 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108666358B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 傅强;董爱义;包信和 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/16;H01L29/267 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯异质结的制备方法，包括：1)真空环境下，在过渡金属衬底上生长氮化硼或石墨烯；2)利用物理气相沉积的方法将硒沉积到氮化硼或石墨烯表面上；3)退火处理使得表面硒插层到氮化硼或石墨烯结构以下并与金属衬底表面反应形成层状过渡金属硫属化合物；4)最终形成氮化硼(或石墨烯)/过渡金属硫属化合物的异质结构。这种自上而下的两维材料异质结制备方法，简单易行，结构易于控制，可以扩展到其他的硫属元素，并适用于所有过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯异质结的制备，为后续电子器件的制备和研究奠定了良好的基础。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡 金属 化合物 氮化 石墨 烯异质结 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯异质结的制备方法，其特征在于：是一种依靠硫属元素插层的自上而下的化学生长方法，包括如下步骤：(1)真空环境下，在过渡金属衬底表面上生长氮化硼或石墨烯结构；所述氮化硼由环硼氮烷或氨硼烷分解制得；(2)利用物理气相沉积的方法将硫属元素蒸发到氮化硼或石墨烯表面上；(3)退火处理使得氮化硼或石墨烯表面上的硫属元素插层到氮化硼或石墨烯和过渡金属衬底之间；(4)插层的硫属元素与过渡金属衬底表面反应形成层状的过渡金属硫属元素化合物，并形成过渡金属硫属化合物与氮化硼或石墨烯的异质结。
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