[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710196548.1 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN106981507B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 李元 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张红平 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体层，位于所述半导体层一侧的源极和漏极以及位于所述源极与漏极之间的栅极，位于所述半导体一侧与所述源极、栅极和漏极同层设置的至少两种介电系数不同的介质，及位于所述介质上远离半导体层的一侧的场板。当加载偏置电压时，所述半导体器件内能形成等效阶梯场板或等效斜场板，拉低栅极近漏端的电场尖峰，平抑场板终端的电场尖峰，使得器件内电场分布更加均匀，提高了半导体器件的整体耐压及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n半导体层；/n位于所述半导体层一侧的源极和漏极以及位于所述源极与漏极之间的栅极；/n位于所述半导体层一侧，在所述栅极和漏极之间的至少两种介电系数不同的介质；及/n位于所述介质上远离半导体层一侧的场板；/n所述至少两种介电系数不同的介质中，靠近所述栅极的介质的介电系数大于远离所述栅极的介质的介电系数；/n所述至少两种介电系数不同的介质包括第一介质和第二介质，所述第一介质靠近所述栅极，所述第二介质位于所述第一介质和所述漏极之间，所述场板靠近所述漏极的一端位于所述第二介质上，所述第一介质和第二介质相连，所述第一介质的介电系数大于所述第二介质的介电系数；/n所述第一介质在和第二介质的连接处具有第一阶梯部，所述第二介质在和第一介质的连接处具有与所述第一阶梯部匹配的第二阶梯部。/n
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