[发明专利]一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法在审
| 申请号： | 201710196720.3 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108666359A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 王茂俊;沈波;陶明;刘少飞;郝一龙 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、GaN或AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层插入层、GaN插入层、AlN插入层、AlGaN插入层、掩膜介质层、绝缘栅介质层以及源漏欧姆接触和栅金属。在衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN/AlGaN/GaN异质结材料，并在该结构上形成源极和漏极。本发明在AlGaN势垒层中插入一组AlN/GaN，插入的GaN层作为热氧化、湿法腐蚀的停止层，在栅极下方保留了完整的AlGaN/GaN异质结构，避免了腐蚀和淀积介质层对沟道的损伤，降低了导通电阻，同时可以精确控制栅极下方势垒层的厚度，可以提高工艺的准确性、可控性、一致性，有利于产业化大规模制备。 | ||
| 搜索关键词： | 插入层 介质层 势垒层 沟道迁移率 器件结构 增强型 衬底 异质结材料 导通电阻 控制栅极 欧姆接触 湿法腐蚀 外延生长 异质结构 产业化 绝缘栅 可控性 热氧化 停止层 栅金属 淀积 沟道 漏极 掩膜 源极 源漏 制备 损伤 腐蚀 保留 制作 | ||
【主权项】：
1.一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法，其特征在于：所述结构包括：衬底、GaN或AlN缓冲层、本征GaN沟道层、本征AlGaN插入层、本征GaN插入层、本征AlN插入层、本征AlGaN势垒层、掩膜介质层、绝缘绝缘栅介质层和栅金属；所述AlN/GaN组位于两层AlGaN之间；在衬底上外延生长AlGaN/GaN/AlN/AlGaN/GaN异质结材料，在晶元表面定义栅极区域，栅极区域下方AlGaN/AlN层被刻蚀掉，并在该结构上形成源极和漏极以形成GaN增强型器件。
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