[发明专利]半导体元件

摘要

本发明提供一种半导体元件，包括基底、金属氧化物半导体场效晶体管以及多个并联的接面场效晶体管，金属氧化物半导体场效晶体管配置于基底上，金属氧化物半导体场效晶体管包括源极区、漏极区以及配置在源极区与漏极区之间的栅极结构，接面场效晶体管与金属氧化物半导体场效晶体管串联，各接面场效晶体管于源极区与漏极区之间横向延伸。

主权项

1.一种半导体元件，其特征在于，所述半导体元件包括：一金属氧化物半导体场效晶体管，配置于一基底上，其中所述金属氧化物半导体场效晶体管包括：一源极区、一漏极区以及配置在所述源极区与所述漏极区之间的一栅极结构；以及多个并联的接面场效晶体管，与所述金属氧化物半导体场效晶体管串联，其中各所述多个接面场效晶体管于所述源极区与所述漏极区之间横向延伸。