[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件，包括具有主表面和背表面的半导体衬底，形成在半导体衬底的主表面之上且具有与主表面接触的第一表面以及与第一表面相反的第二表面的器件隔离膜，设置在器件隔离膜之上，接触器件隔离膜的第二表面的板状电极，以及邻近器件隔离膜的第一表面设置，且接触板状电极的焊盘电极。半导体衬底具有从背表面贯穿至主表面且暴露器件隔离膜的第一开口。器件隔离膜具有位于第一开口中并暴露板状电极的一部分的第二开口。焊盘电极形成在第二开口中，且在器件隔离膜的第一表面之上延伸。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有主表面和背表面；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成在所述半导体衬底的所述主表面之上，并且具有与所述主表面接触的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；多晶硅膜，所述多晶硅膜设置在所述第一绝缘膜之上，接触所述第一绝缘膜的所述第二表面；以及电极膜，所述电极膜设置为邻近所述第一绝缘膜的所述第一表面，并且耦合至所述多晶硅膜，其中，所述半导体衬底具有第一开口，所述第一开口从所述背表面贯穿至所述主表面，并且暴露所述第一绝缘膜，其中，所述第一绝缘膜具有第二开口，所述第二开口位于所述第一开口中，并且暴露所述多晶硅膜的一部分，以及其中，所述电极膜形成在所述第二开口中，并且延伸至所述第一绝缘膜的所述第一表面。