[发明专利]一种孔隙可控的三维多孔NiS2微球及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201710197570.8 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107344732A | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 夏冬林;李力;朱昊;赵书文;周斌;王友法 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C01G53/11 | 分类号： | C01G53/11;H01M4/58;H01M10/054 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 邬丽明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种孔隙可控的三维多孔NiS2微球及其制备方法和应用。该NiS2微球的直径为300‑700nm，NiS2微球由立方结构的NiS2纳米晶构成并形成多孔结构，NiS2微球的多孔结构是孔径分布在10‑15nm的介孔。本发明借助三维多孔纳米结构的独特优势，并通过水热合成‑刻蚀‑退火三步处理法获得三维多孔的NiS2微球。当作为钠离子电池的负极材料时，该三维多孔微球表现出较好的可逆容量及循环稳定性。本发明制备工艺简单，成本较低，符合绿色化学的要求，有利于市场化应用。在高容量长寿命钠离子电池材料中具有潜在价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 孔隙 可控 三维 多孔 nis2 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种孔隙可控的三维多孔NiS2微球，其特征在于，所述NiS2微球的直径为300‑700nm，所述NiS2微球由立方结构的NiS2纳米晶构成并形成多孔结构，所述NiS2微球的多孔结构是孔径分布在10‑15nm的介孔。
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