[发明专利]弧形栅-漏复合场板电流孔径异质结器件有效

专利信息
申请号: 201710197666.4 申请日: 2017-03-29
公开(公告)号: CN107170820B 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 毛维;王海永;彭紫玲;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/778 分类号: H01L29/778;H01L29/06;H01L29/40
代理公司: 陕西电子工业专利中心 61205 代理人: 王品华
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种弧形栅‑漏复合场板电流孔径异质结器件,其自下而上包括:肖特基漏极(13)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个二级阶梯结构的电流阻挡层(4)、孔径(5)、沟道层(6)、势垒层(7)、帽层(8)与栅极(10),该帽层的两侧刻有台阶(9),沟道层和势垒层的两侧刻有源槽(11),源槽中淀积有源极(12),在肖特基漏极底部以外的区域覆盖有钝化层(14),钝化层左右两边的上部和背面分别刻有弧形台阶,弧形台阶上淀积有金属,形成弧形栅场板(15)和弧形漏场板(16),弧形栅场板和弧形漏场板分别与栅极和肖特基漏极电气连接。本发明双向阻断好、导通电阻小、成品率高,可用于电力电子系统。
搜索关键词: 弧形 复合 电流 孔径 异质结 器件
【主权项】:
一种弧形栅‑漏复合场板电流孔径异质结器件,包括:衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)、帽层(8)和钝化层(14),沟道层(6)和势垒层(7)的两侧刻蚀有源槽(11),两侧源槽(11)中淀积有两个源极(12),源极(12)之间的势垒层(7)上外延有帽层(8),帽层(8)两侧刻有两个台阶(9),帽层(8)上面淀积有栅极(10),衬底(1)下面淀积有肖特基漏极(13),钝化层(14)完全包裹在除肖特基漏极(13)底部以外的所有区域,两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5),其特征在于:所述两个电流阻挡层(4),采用由第一阻挡层(41)和第二阻挡层(42)构成的二级阶梯结构,且第二阻挡层(42)位于第一阻挡层(41)的内侧;所述钝化层(14),其两侧均采用双弧形台阶,即在钝化层两边的上部区域刻有弧形栅台阶,下部区域刻有弧形漏台阶,其中:每个弧形栅台阶处淀积有金属,形成对称的两个弧形栅场板(15),该弧形栅场板(15)与栅极(10)电气连接;每个弧形漏台阶处淀积有金属,形成对称的两个弧形漏场板(16),该弧形漏场板(16)与肖特基漏极(13)电气连接。
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