[发明专利]浮空型漏场板电流孔径器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710198226.0 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107170821B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 毛维;边照科;王海永;郝跃;马晓华;杨眉;吕玲;祝杰杰 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L21/335 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浮空型漏场板电流孔径器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层(7)上的两侧刻有两个源槽(8)，两个源槽处淀积有两个源极(9)，除肖特基漏极底部以外的所有区域完全覆盖有钝化层(13)，两侧的钝化层内制作有浮空型漏场板(12)，该浮空型漏场板是由多个相互独立的浮空场板和一个与肖特基漏极电气连接的第一场板构成，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。 | ||
| 搜索关键词： | 浮空型漏场板 电流 孔径 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种浮空型漏场板电流孔径器件，包括:GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(13)，沟道层(6)和势垒层(7)的两侧刻蚀有源槽(8)，两侧源槽(8)中淀积有两个源极(9)，源极(9)之间的势垒层上面淀积有栅极(10)，GaN衬底(1)下面淀积有肖特基漏极(11)，钝化层(13)完全包裹在除肖特基漏极(11)底部以外的所有区域，两侧的钝化层内制作有浮空型漏场板(12)，两个对称的电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，其特征在于：所述浮空型漏场板(12)，是由自下而上的第一场板、第二场板、第三场板至第m场板构成，第一场板为漏场板，并与肖特基漏极电气连接，第二场板、第三场板至第m场板为浮空场板，且各浮空场板相互独立，m根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于2的整数；所述钝化层(13)，是由若干层绝缘介质材料自下而上堆叠而成。
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