[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底包括第一区和第二区，基底的第一区内具有第一掺杂区，基底的第二区内具有第二掺杂区，基底、第一掺杂区和第二掺杂区上具有介质层；在介质层上形成掩膜层，掩膜层具有若干掩膜开口，第一区的掩膜开口位于第一掺杂区上，第二区的掩膜开口位于第二掺杂区上；在第一区的掩膜开口内和掩膜层上形成第一牺牲层；以第一牺牲层和掩膜层为掩膜，刻蚀第二掺杂区上的介质层，在第二区介质层内形成第一开口；形成第一开口之后，对第一开口底部的第二掺杂区进行离子注入；对第一开口底部的第二掺杂区进行离子注入之后，在第一掺杂区上的介质层内形成第二开口。所形成的半导体结构性能较好。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区，所述基底的第一区内具有第一掺杂区，所述基底的第二区内具有第二掺杂区，所述基底、第一掺杂区和第二掺杂区上具有介质层；在所述介质层上形成掩膜层，所述掩膜层具有若干掩膜开口，所述第一区的掩膜开口位于第一掺杂区上，所述第二区的掩膜开口位于第二掺杂区上；在所述第一区的掩膜开口内和掩膜层上形成第一牺牲层；以所述第一牺牲层和掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二掺杂区上的介质层，在所述第二区介质层内形成第一开口；形成所述第一开口之后，对所述第一开口底部的第二掺杂区进行离子注入；对所述第一开口底部的第二掺杂区进行离子注入之后，在所述第一掺杂区上的介质层内形成第二开口。