[发明专利]基于弧形漏场板和肖特基漏极的垂直型功率晶体管

摘要

本发明公开了一种基于弧形漏场板和肖特基漏极的垂直型功率晶体管，其包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，沟道层和势垒层两侧刻蚀有凹槽(8)，两侧凹槽中淀积有源极(9)，源极之间的势垒层上淀积有栅极(10)，阻挡层之间形成孔径(5)，衬底下面淀积有肖特基漏极(11)，钝化层(12)包裹除肖特基漏极底部以外的所有区域，钝化层背面两侧刻有弧形台阶(13)，弧形台阶处淀积有金属，形成弧形场板(14)，该弧形场板与肖特基漏极电气连接，且其下方完全填充保护层(15)。本发明反向击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。

主权项

1.一种基于弧形漏场板和肖特基漏极的垂直型功率晶体管，包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、左右两个对称的阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，这些层依次堆叠；沟道层(6)和势垒层(7)的两侧刻蚀有凹槽(8)，两侧凹槽(8)中淀积有两个源极(9)，源极之间的势垒层上面淀积有栅极(10)，衬底(1)下面淀积有肖特基漏极(11)，钝化层(12)完全包裹在除肖特基漏极(11)底部以外的所有区域，两个对称的阻挡层(4)中间形成孔径(5)，其特征在于：所述钝化层(12)，采用弧形结构，即在钝化层(12)的两边刻有弧形台阶(13)，弧形台阶上淀积有金属，形成对称的两个弧形场板(14)，该弧形场板与肖特基漏极(11)电气连接，形成从漏极开始向上延伸至漂移层的弧形漏场板；该弧形台阶(13)高于肖特基漏极上边界的部分，其表面的任意一点分别与衬底(1)下表面的垂直距离为d，与漂移层(2)的水平距离为e，且满足关系d＝5.5+2.5ln(e+0.06)，且0μm<d≤11μm，弧形台阶(13)表面与肖特基漏极上边界处于同一水平高度的部位距离漂移层(2)的水平间距为t，t＝0.05μm；所述弧形场板(14)、钝化层(12)和肖特基漏极(11)的下方均覆盖有绝缘介质材料，以形成保护弧形场板的保护层(15)。