[发明专利]源阶梯场板垂直型功率晶体管有效
| 申请号： | 201710198833.7 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107068740B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 毛维;王海永;艾治州;郝跃;张弘 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 61205 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种源阶梯场板垂直型功率晶体管，其包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、三级台阶形的阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，势垒层上两侧淀积有源极(9)，源极之间的势垒层上淀积有栅极(10)，衬底下淀积有漏极(11)，钝化层(12)包裹除漏极底部以外的所有区域，钝化层两边刻有阶梯，阶梯上淀积有金属，形成阶梯场板(13)，该阶梯场板与源极电气连接。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。 | ||
| 搜索关键词： | 阶梯 垂直 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种源阶梯场板垂直型功率晶体管，包括:衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8)，源极(9)之间的势垒层(7)上面淀积有栅极(10)，衬底(1)下面淀积有漏极(11)，钝化层(12)完全包裹在除漏极(11)底部以外的所有区域，两个对称的阻挡层(4)之间形成孔径(5)，其特征在于：/n所述两个阻挡层(4)，采用由第一阻挡层(41)、第二阻挡层(42)和第三阻挡层(43)构成的三级台阶结构，且第一阻挡层(41)位于第二阻挡层(42)的外侧，第三阻挡层(43)位于第二阻挡层(42)的内侧；/n所述钝化层(12)，采用阶梯结构，即在钝化层的两边刻有整数个阶梯，所有阶梯上淀积有金属，形成对称的两个整体阶梯场板(13)，该阶梯场板(13)与源极(9)电气连接，形成阶梯源场板。/n
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