[发明专利]浮空栅-漏复合场板垂直型电力电子器件

摘要

本发明公开了一种浮空栅‑漏复合场板垂直型电力电子器件，其自下而上包括：肖特基漏极(13)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)、帽层(8)和栅极(10)；两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，势垒层上两侧淀积有两个源极(12)，两个源极下方有两个注入区(11)，除肖特基漏极底部以外区域覆盖有钝化层(15)，其中：两侧钝化层内制作有浮空栅‑漏复合场板(14)，浮空栅‑漏复合场板由栅场板、漏场板、多个栅浮空场板和多个漏浮空场板构成，电流阻挡层采用二级阶梯结构。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。

主权项

1.一种浮空栅‑漏复合场板垂直型电力电子器件，包括:衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(15)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(12)，两个源极(12)下方通过离子注入形成两个注入区(11)，源极之间的势垒层上外延有帽层(8)，帽层(8)两侧刻有两个台阶(9)，帽层上面淀积有栅极(10)，衬底(1)下面淀积有肖特基漏极(13)，钝化层(15)完全包裹在除肖特基漏极(13)底部以外的所有区域，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，其特征在于：所述两个电流阻挡层(4)，采用由第一阻挡层(41)和第二阻挡层(42)构成的二级阶梯结构，且第一阻挡层(41)位于第二阻挡层(42)的外侧；所述钝化层(15)，是由若干层绝缘介质材料自下而上堆叠而成，该钝化层两侧制作有浮空栅‑漏复合场板(14)；所述浮空栅‑漏复合场板(14)，每一侧均由一个栅场板、一个漏场板、多个栅浮空场板和多个漏浮空场板构成；该多个栅浮空场板，自下而上依次为第一栅浮空场板、第二栅浮空场板至第M栅浮空场板，第一栅浮空场板、第二栅浮空场板至第M栅浮空场板，均为浮空型场板，且相互之间相互独立；栅场板与栅极(10)电气连接，M根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数；该多个漏浮空场板，自下而上依次为第一漏浮空场板、第二漏浮空场板至第Q漏浮空场板，第一漏浮空场板至第Q漏浮空场板为浮空型场板，且相互之间相互独立；漏场板与肖特基漏极(13)电气连接，Q根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数。